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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
4,217.2
16.5
写入速度,GB/s
1,857.7
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2974
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-007.A00G 8GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
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