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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
4,217.2
19.1
写入速度,GB/s
1,857.7
15.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3753
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
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