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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
69
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
39
读取速度,GB/s
4,217.2
15.3
写入速度,GB/s
1,857.7
12.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2760
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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