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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
4,217.2
14.2
写入速度,GB/s
1,857.7
11.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3135
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
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Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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