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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
69
左右 -138% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
29
读取速度,GB/s
4,217.2
13.4
写入速度,GB/s
1,857.7
10.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2832
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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