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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
69
左右 -138% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
29
读取速度,GB/s
4,217.2
13.6
写入速度,GB/s
1,857.7
10.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2891
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
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