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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
4,217.2
17.2
写入速度,GB/s
1,857.7
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3614
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
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