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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
69
左右 -138% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.1
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
29
读取速度,GB/s
4,217.2
18.5
写入速度,GB/s
1,857.7
14.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3434
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
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