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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
69
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
19.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
23
读取速度,GB/s
4,217.2
20.1
写入速度,GB/s
1,857.7
19.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
4322
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
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