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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
69
左右 -138% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
29
读取速度,GB/s
4,217.2
18.9
写入速度,GB/s
1,857.7
15.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3708
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
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