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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
69
左右 -214% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
22
读取速度,GB/s
4,217.2
17.1
写入速度,GB/s
1,857.7
14.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3234
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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