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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9905599-029.A00G 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
69
左右 -176% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
25
读取速度,GB/s
4,217.2
16.2
写入速度,GB/s
1,857.7
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2494
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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