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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9905663-007.A00G 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
69
左右 -60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
43
读取速度,GB/s
4,217.2
12.4
写入速度,GB/s
1,857.7
8.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2024
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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