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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9905678-029.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
69
左右 -176% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
25
读取速度,GB/s
4,217.2
12.6
写入速度,GB/s
1,857.7
6.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2068
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
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