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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9905678-110.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
69
左右 -188% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
24
读取速度,GB/s
4,217.2
14.3
写入速度,GB/s
1,857.7
6.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2101
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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