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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9905700-046.A00G 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
4,217.2
17.5
写入速度,GB/s
1,857.7
14.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3546
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
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