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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9905713-028.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
4,217.2
16.3
写入速度,GB/s
1,857.7
12.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3111
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
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