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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9965596-016.B01G 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.5
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.1
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
4,217.2
9.5
写入速度,GB/s
1,857.7
6.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1853
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
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