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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9965600-027.A00G 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
69
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.8
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
33
读取速度,GB/s
4,217.2
9.8
写入速度,GB/s
1,857.7
8.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2250
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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