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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9965640-008.A01G 32GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
69
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.7
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
37
读取速度,GB/s
4,217.2
8.7
写入速度,GB/s
1,857.7
7.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2031
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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