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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
69
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
34
读取速度,GB/s
4,217.2
13.7
写入速度,GB/s
1,857.7
10.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2337
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
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