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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
69
左右 -60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
43
读取速度,GB/s
4,217.2
15.5
写入速度,GB/s
1,857.7
11.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2864
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
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