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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
69
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
23
读取速度,GB/s
4,217.2
17.3
写入速度,GB/s
1,857.7
13.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3233
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
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