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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
69
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
34
读取速度,GB/s
4,217.2
10.6
写入速度,GB/s
1,857.7
8.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2237
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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