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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
4,217.2
11.9
写入速度,GB/s
1,857.7
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2585
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
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