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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Panram International Corporation M424051 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
69
97
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation M424051 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
5.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
97
读取速度,GB/s
4,217.2
11.2
写入速度,GB/s
1,857.7
5.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1270
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
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Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
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