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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
69
左右 -229% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
21
读取速度,GB/s
4,217.2
17.9
写入速度,GB/s
1,857.7
13.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3167
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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