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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
69
74
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
74
读取速度,GB/s
4,217.2
13.8
写入速度,GB/s
1,857.7
7.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1825
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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