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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
4,217.2
10.9
写入速度,GB/s
1,857.7
10.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2587
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
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Kingston 9905700-011.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
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