Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

总分
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

总分
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 15.8
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    35 left arrow 69
    左右 -97% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.4 left arrow 1,857.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    69 left arrow 35
  • 读取速度,GB/s
    4,217.2 left arrow 15.8
  • 写入速度,GB/s
    1,857.7 left arrow 12.4
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    668 left arrow 2852
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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