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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
4,217.2
15.8
写入速度,GB/s
1,857.7
12.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2852
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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