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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
69
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
33
读取速度,GB/s
4,217.2
17.1
写入速度,GB/s
1,857.7
11.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3110
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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