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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
4,217.2
14.5
写入速度,GB/s
1,857.7
8.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2625
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KP223C-ELD 2GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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