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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
69
左右 -82% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
38
读取速度,GB/s
4,217.2
13.9
写入速度,GB/s
1,857.7
10.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2581
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
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