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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
69
77
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
77
读取速度,GB/s
4,217.2
15.5
写入速度,GB/s
1,857.7
8.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1809
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
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