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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
65
左右 -183% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
23
读取速度,GB/s
4,605.9
17.6
写入速度,GB/s
2,451.8
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
3038
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
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