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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
58
65
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,338.9
2,451.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
65
58
读取速度,GB/s
4,605.9
5,382.3
写入速度,GB/s
2,451.8
3,338.9
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
1051
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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