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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
65
79
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.8
2,451.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
79
读取速度,GB/s
4,605.9
14.0
写入速度,GB/s
2,451.8
6.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
1330
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
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