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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
65
左右 -160% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
25
读取速度,GB/s
4,605.9
19.4
写入速度,GB/s
2,451.8
13.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
3519
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
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