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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

总分
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

总分
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,451.8 left arrow 10.3
    测试中的平均数值
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 65
    左右 -132% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    4,605.9 left arrow 15.4
  • 写入速度，GB/s
    2,451.8 left arrow 10.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    878 left arrow 2892

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