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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
65
左右 -183% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
23
读取速度,GB/s
4,605.9
16.6
写入速度,GB/s
2,451.8
12.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2825
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
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Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
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