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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
65
左右 -23% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.7
2,451.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
53
读取速度,GB/s
4,605.9
10.3
写入速度,GB/s
2,451.8
7.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2356
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
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