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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
65
左右 -160% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.7
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
25
读取速度,GB/s
4,806.8
12.3
写入速度,GB/s
2,784.6
5.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
1966
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
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Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
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