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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
65
左右 -210% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
21
读取速度,GB/s
4,806.8
19.0
写入速度,GB/s
2,784.6
13.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3278
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
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