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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
65
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
33
读取速度,GB/s
4,806.8
14.5
写入速度,GB/s
2,784.6
10.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2485
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
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