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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
65
左右 -160% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
25
读取速度,GB/s
4,806.8
19.8
写入速度,GB/s
2,784.6
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3875
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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