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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
65
左右 -91% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
34
读取速度,GB/s
4,806.8
16.1
写入速度,GB/s
2,784.6
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3415
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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