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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
65
左右 -117% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
30
读取速度,GB/s
4,806.8
19.0
写入速度,GB/s
2,784.6
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3435
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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