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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
65
左右 -150% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
26
读取速度,GB/s
4,806.8
19.0
写入速度,GB/s
2,784.6
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3559
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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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