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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
65
左右 -150% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
26
读取速度,GB/s
4,806.8
18.8
写入速度,GB/s
2,784.6
15.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3733
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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