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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
27
读取速度,GB/s
4,806.8
17.5
写入速度,GB/s
2,784.6
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3693
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
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